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    電子級超純水的技術要求

    時間:2021-10-19 11:32:19 點擊:707次

    在半導體制作工藝中,80%以上的工序要經過化學處理,而每一道化學處理都離不開超純水;在硅片的處理工序中,一半以上的工序經過超純水清洗后便直接進入高溫處理過程,此時如水中含有雜質便會進入硅片,造成器件性能下降成品率低。

        電子工業提出的超純水電阻率≥18MΩ.cm (25℃),已極其接近理論純水水質18.3 MΩ.cm (25℃)。對電解質、DO、TOC、SIO2、顆粒及細菌等技術指標提出更高要求。如256兆位的動態隨機儲存器生產工藝,光刻線條寬已達0.1微米,要保證這一指標,超純水中顆粒徑就得≤0.05μm,而且≥0.05μm不得超過500個/升超純水。

    電子級超純水的技術要求級別

     

     

     

    指標

    中華人民共和國電子級水國家標準(GB/T11446.1997

    ASTM電子級水

    (E-I)標準

    (1993)

    EW-I

    EW-II

    EW-III

    EW-IV

    設計參考值


    電阻率

    MΩ.cm(25)

    18以上

    (95%時間)

    不低于17

    15

    (95%時間)不低于13

    12.0

    0.5

    10以上

    (95%時間)

    不低于5

    18以上(90%時間)不低于

    17

    全硅,最大μg/L

    2

    10

    50

    1000

    20.0

    5(SIO2)

    >1μm微粒數,

    最大值,/mL

    0.1

     

    5

    10

    500

    10

    0.1

     

    細菌個數,

    最大值個/ mL

    0.01

    0.1

    10

    100

    <10

    1/1000

    銅最大值μg/L

    0.2

    1

    2

    500

    2

    1

    鋅最大值μg/L

    0.2

    1

    5

    500

    5

    0.5

    鎳最大值μg/L

    0.1

    1

    2

    500

    2

    0.1

    鈉最大值μg/L

    0.5

    2

    5

    1000

    5

    0.5

    鉀最大值μg/L

    0.5

    2

    5

    500

    5

    2

    氯最大值μg/L

    1

    1

    10

    1000

    10

    1

    硝酸根,

    最大值μg/L

    1

    1

    5

    500

    5

    1

    磷酸根,

    最大值μg/L

    1

    1

    5

    500

    5

    1

    硫酸根,

    最大值μg/L

    1

    1

    5

    500

    5

    1

    總有機碳,

    最大值μg/L

    20

    100

    200

    1000

    200

    1

    細菌內毒素

    (E.U.)






    0.03

     


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