在半導體制作工藝中，80%以上的工序要經過化學處理，而每一道化學處理都離不開超純水；在硅片的處理工序中，一半以上的工序經過超純水清洗后便直接進入高溫處理過程，此時如水中含有雜質便會進入硅片，造成器件性能下降成品率低。
電子工業提出的超純水電阻率≥18MΩ.cm (25℃),已極其接近理論純水水質18.3 MΩ.cm (25℃)。對電解質、DO、TOC、SIO2、顆粒及細菌等技術指標提出更高要求。如256兆位的動態隨機儲存器生產工藝，光刻線條寬已達0.1微米,要保證這一指標,超純水中顆粒徑就得≤0.05μm,而且≥0.05μm不得超過500個/升超純水。
指標 | 中華人民共和國電子級水國家標準（GB/T11446.1997） | ASTM電子級水 (E-I)標準 (1993年) | ||||
EW-I | EW-II | EW-III | EW-IV | 設計參考值 | ||
電阻率 MΩ.cm(25℃) | 18以上 (95%時間) 不低于17 | 15 (95%時間)不低于13 | 12.0 | 0.5 | 10以上 (95%時間) 不低于5 | 18以上(90%時間)不低于 17 |
全硅,最大μg/L | 2 | 10 | 50 | 1000 | ≤20.0 | 5(SIO2) |
>1μm微粒數, 最大值,個/mL | 0.1
| 5 | 10 | 500 | 10 | 0.1
|
細菌個數, 最大值個/ mL | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 | ≤<10 | 1/1000 |
銅最大值, μg/L | 0.2 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 1 |
鋅最大值, μg/L | 0.2 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 0.5 |
鎳最大值, μg/L | 0.1 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 0.1 |
鈉最大值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 1000 | ≤5 | 0.5 |
鉀最大值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 500 | ≤5 | 2 |
氯最大值, μg/L | 1 | 1 | 10 | 1000 | ≤10 | 1 |
硝酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
磷酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
硫酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
總有機碳, 最大值, μg/L | 20 | 100 | 200 | 1000 | ≤200 | 1 |
細菌內毒素 (E.U.) | 0.03 | |||||
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